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GaN Protect氮化鎵

將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。

GaN氮化鎵是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。

無論是“全橋”還是“半橋”電路設(shè)計，氮化鎵功率芯片都能夠支持。

氮化鎵功率芯片具備適用性極強的功率范圍和功能，能覆蓋移動快速充電器，數(shù)據(jù)中心、消費市場、可再生能源和電動車/電動交通工具等市場，從幾十瓦，到上千瓦的各種應用，都能突顯它的優(yōu)勢！

GaN Protect 音特團隊正在研發(fā)新一代功率保護器件，嵌入模組和單獨應用！

GaN Protect 理論優(yōu)勢：

體積更小：GaN Protect 器件，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 2.7~3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。

速度更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常容易使用。通過簡單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。

更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。

可靠：GaN Protect 器件 符合雙碳政策，更低的內(nèi)阻，它將會產(chǎn)生更少的熱量，所以產(chǎn)生風險risk更低

什么是GaN Protect？ 它是音特研發(fā)團隊注冊的商標，將GaN材料用于保護器件！