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       公司電感器POC 3225 系列的研發(fā)及量產(chǎn)準(zhǔn)備，該產(chǎn)品于 2025 年 2 月正式投放市場(chǎng)，專為高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）及車載攝像頭網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)，以 3.2mm×2.5mm 的緊湊尺寸實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的寬頻帶性能與高可靠性，助力汽車線束輕量化與高速數(shù)據(jù)傳輸   POC 3225 系列采用創(chuàng)新的雙繞組結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在 1MH

近日，據(jù)中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所消息，半導(dǎo)體所集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室微波光電子課題組李明研究員-祝寧華院士團(tuán)隊(duì)研制出一款超高集成度光學(xué)卷積處理器。相關(guān)研究成果以“Compact optical convolution processing unit based on multimode interference”為題發(fā)表在《自然通訊》（Nature Communications）雜志上。 卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是一種受生物視覺(jué)神經(jīng)系統(tǒng)啟發(fā)而發(fā)展起來(lái)的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，它由多層卷積層、池化層和全連接層組成。作為卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的核心組成部分，卷積層通過(guò)對(duì)輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行局部感知和權(quán)值共享，提取出不同層次和抽象程度的特征。在一個(gè)完整的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中，卷積運(yùn)算的運(yùn)算量通常占整個(gè)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算量的80%以上。雖然卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在圖像識(shí)別等領(lǐng)域取得了巨大的成功，但是它也面臨著巨大的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)主要基于馮·諾依曼架構(gòu)的電學(xué)硬件實(shí)現(xiàn)，存儲(chǔ)單元和處理單元是分立的，這導(dǎo)致了數(shù)據(jù)交換速度和能耗之間的固有矛盾。隨著數(shù)據(jù)量和網(wǎng)絡(luò)復(fù)雜度的增加，電子計(jì)算方案越來(lái)越難以滿足海量數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)處理對(duì)高速、低能耗的計(jì)算硬件的需求。 光計(jì)算是一種利用光波作為載體進(jìn)行信息處理的技術(shù)，它具有大帶寬、低延時(shí)、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，提供了一種“傳輸即計(jì)算，結(jié)構(gòu)即功能”的計(jì)算架構(gòu)，有望避免馮·諾依曼計(jì)算范式中存在的數(shù)據(jù)潮汐傳輸問(wèn)題。光計(jì)算在近年來(lái)受到了廣泛關(guān)注，但大部分已報(bào)道的光計(jì)算方案中，光學(xué)元件的數(shù)量隨著計(jì)算矩陣的規(guī)模呈二次增長(zhǎng)趨勢(shì)，這對(duì)光計(jì)算芯片規(guī)模擴(kuò)展存在巨大挑戰(zhàn)。

USB 2.0/3.0、HDMI、DP、以太網(wǎng)（RJ45）、I2C/SPI 總線（雙向通信）,DC-DC 電源輸入口、電池供電線路、5V/12V 設(shè)備電源接口

理論基礎(chǔ)：結(jié)電容（Cj）包括耗盡層電容（Cd） 和擴(kuò)散電容（Cs）

2025 年 11 月10日，馬斯克旗下特斯拉在 AI 芯片領(lǐng)域的發(fā)展已進(jìn)入密集迭代階段，其自研芯片路線圖和超算系統(tǒng)布局正重塑自動(dòng)駕駛與機(jī)器人領(lǐng)域的技術(shù)格局。以下是基于最新動(dòng)態(tài)的深度解析： 一、AI5 芯片：架構(gòu)革新與量產(chǎn)倒計(jì)時(shí) 1. 技術(shù)突破與性能參數(shù) 特斯拉最新發(fā)布的 AI5 芯片已完成設(shè)計(jì)評(píng)審，這標(biāo)志著該芯片從研發(fā)階段正式進(jìn)入生產(chǎn)準(zhǔn)備階段。根據(jù)馬斯克披露的信息，AI5 在多個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)上

耗盡區(qū)的少子漂移電流-溫度升高時(shí)顯著增大 1.PN結(jié)表面的漏電流（受鈍化層質(zhì)量影響） 2.摻雜不均勻?qū)е碌木植侩妶?chǎng)集中電流 3.ESD管的IR通常設(shè)計(jì)為 < 1μA（25℃時(shí)），避免影響被保護(hù)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)

PESD5V0C1ULS-Q PESD5V0C2UM-Q PESD5V0F1BL-Q PESD5V0F1BLD-Q PESD5V0F1BRLD-Q PESD5V0H1BLG-Q PESD5V0H1BLL-Q PESD5V0L1BA-Q PESD5V0L1UA-Q

ESD保護(hù)二極管的PN 結(jié)結(jié)構(gòu)（如平面型、溝槽型）如何影響其ESD泄放能力？ 1.平面型 PN 結(jié)： PN結(jié)位于芯片表面，結(jié)面積易做大，可承受更大的ESD脈沖電流（如:HBM 15kV），但寄生電容較大（因結(jié)面積大），且表面易受污染物影響導(dǎo)致?lián)舸╇妷翰环€(wěn)定，適用于低頻、大電流防護(hù)場(chǎng)景（如:電源VBUS） 1.1 平面型 PN 結(jié)是一種通過(guò)平面工藝（如光刻、擴(kuò)散或離子注入）在半導(dǎo)體晶片表面形成

首先簡(jiǎn)單理解的雪崩與齊納擊穿之間差異： 雪崩擊穿：高反向電壓使耗盡區(qū)中載流子獲得足夠能量，與晶格原子碰撞產(chǎn)生新的電子 - 空穴對(duì)（雪崩倍增），導(dǎo)致反向電流驟增；擊穿電壓隨溫度升高而升高（正溫度系數(shù)），適用于高電壓、大電流場(chǎng)景（如電源端防護(hù)） 齊納擊穿：低反向電壓使耗盡區(qū)中強(qiáng)電場(chǎng)直接將束縛電子拉出共價(jià)鍵（場(chǎng)致發(fā)射），反向電流驟增；擊穿電壓隨溫度升高而降低（負(fù)溫度系數(shù)）