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N型碳化硅和P型碳化硅的歐姆接觸的基本原理是通過合適的金屬材料與碳化硅材料之間的電子轉(zhuǎn)移來建立接觸電阻盡可能小的電氣連接。

• 對于N型碳化硅，其導(dǎo)電性主要由額外的自由電子貢獻。當(dāng)金屬與N型碳化硅接觸時，金屬中的自由電子可以輕易地進入N型碳化硅中，形成電子注入，使碳化硅形成具有低電阻的接觸。

• 對于P型碳化硅，其導(dǎo)電性主要由空穴貢獻。當(dāng)金屬與P型碳化硅接觸時，金屬中的自由電子與P型碳化硅中的空穴結(jié)合，形成電子-空穴對而減弱空穴濃度，這樣就可以形成具有低電阻的接觸。
• N型和P型SIC的歐姆接觸的基本原理是通過金屬與碳化硅之間的電子轉(zhuǎn)移來建立具有低電阻的接觸。

AL（鋁）基金屬在SiC（碳化硅）中被稱為有效受主元素，是因為它具有以下特點：

     1. 高自由缺陷濃度：在SiC材料中，鋁原子可以導(dǎo)致高自由缺陷濃度。這是因為鋁原子可以在SiC晶格中形成額外的局部缺陷，例如鋁空位和局部雜質(zhì)能級。這些缺陷和能級提供了額外的能量狀態(tài)，增加了電荷載流子的擴散、復(fù)合等過程，從而影響了材料的電性能。

     2. 摻雜效果：鋁的摻雜可以改變SiC的電子濃度類型，使其由N型（導(dǎo)電性由自由電子貢獻）轉(zhuǎn)變?yōu)镻型（導(dǎo)電性由空穴貢獻）。這種摻雜效果使得鋁在SiC中具有重要的應(yīng)用價值，例如制備雙極型功率器件。

      總之，鋁在SiC中是有效受主元素，這是因為它可以引入高自由缺陷濃度，并且改變材料的電子濃度類型，從而對SiC材料的電性能產(chǎn)生重要影響。