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反向漏電流IR的來源包括：

1.  耗盡區(qū)的少子漂移電流-溫度升高時顯著增大
2.  PN結(jié)表面的漏電流（受鈍化層質(zhì)量影響）
3.  摻雜不均勻?qū)е碌木植侩妶黾须娏?/span>
4.  ESD管的IR通常設(shè)計為 < 1μA（25℃時），避免影響被保護(hù)電路的靜態(tài)工作點

• 耗盡區(qū)的少子漂移電流，如何理解？

     核心關(guān)鍵解析

1. 少子的來源：少子是PN結(jié)兩側(cè)的少數(shù)載流子（P區(qū)的電子、N區(qū)的空穴），由熱激發(fā)產(chǎn)生，數(shù)量遠(yuǎn)少于多子，但始終存在
2. 漂移的動力：耗盡區(qū)存在自建電場（方向從N區(qū)指向 P區(qū)），會對少子產(chǎn)生定向作用力----負(fù)電的電子被推向N區(qū)，正電的空穴被推向P區(qū)
3. 電流的形成：少子在電場力驅(qū)動下穿過耗盡區(qū)的定向運動，就是漂移運動，大量少子的這種運動疊加，就形成了少子漂移電流

• PN結(jié)表面的漏電流（受鈍化層質(zhì)量影響）

     核心影響維度

1. 缺陷密度：鈍化層（如 SiO?、SiN?）若存在孔隙、雜質(zhì)或晶格缺陷，會成為載流子“通道”；這些缺陷會降低載流子復(fù)合勢壘，讓表面少子更容易穿越，直接增大漏電流
2. 覆蓋完整性：鈍化層若存在針孔、開裂或覆蓋不連續(xù)，會導(dǎo)致PN結(jié)表面暴露在外界環(huán)境中；暴露區(qū)域會形成表面態(tài)，引發(fā)載流子不規(guī)則輸運，同時外界雜質(zhì)易滲入，進(jìn)一步加劇漏電流
3. 界面態(tài)密度：鈍化層與PN結(jié)表面的界面若存在大量懸掛鍵、缺陷態(tài)，會成為載流子復(fù)合中心和輸運路徑；界面態(tài)密度越低，載流子被捕獲和輸運的概率越小，漏電流越容易被抑制

• 摻雜不均勻，如何導(dǎo)致的局部電場集中電流？

     核心邏輯拆解

1. 摻雜不均導(dǎo)致濃度梯度：摻雜過程中若出現(xiàn)局部區(qū)域雜質(zhì)濃度偏高（如擴散不均、離子注入偏移），會與周邊低濃度區(qū)域形成明顯的雜質(zhì)濃度差
2. 濃度梯度催生局部電場：高摻雜區(qū)多子濃度遠(yuǎn)高于低摻雜區(qū)，載流子的擴散趨勢會打破局部電中性，進(jìn)而形成從高濃度區(qū)指向低濃度區(qū)的額外電場
3. 電場引導(dǎo)電流集中：局部電場會對載流子產(chǎn)生定向驅(qū)動力，同時高摻雜區(qū)電阻更低，載流子更易在此處聚集并定向流動，最終導(dǎo)致電流集中在高摻雜局部區(qū)域

綜上所述，ESD二極管的IR漏電流是產(chǎn)品的特性和硅材料的工藝綜合因素導(dǎo)致！

ESD參數(shù)表：https://www.www.ztby8.com/products/emsproduct/esd/index.html

ESD保護(hù)二極管的PN結(jié)結(jié)構(gòu)如何影響其泄放能力？ https://www.www.ztby8.com/news/knowledge/760.html

ESD保護(hù)二極管的雪崩擊穿與齊納擊穿在物理機制上差異？https://www.www.ztby8.com/news/knowledge/758.html

ESD靜電保護(hù)二極管與普通整流二極管有何本質(zhì)區(qū)別?   https://www.www.ztby8.com/news/knowledge/757.html