日本潮水rapper超多,艳妇厨房激情偷换催乳师小说 ,日韩免费在线观看视频一区二区三区,乱伦合集视频

一：理論基礎(chǔ)：結(jié)電容（Cj）包括耗盡層電容（Cd） 和擴散電容（Cs）

Cj= Cd+Cs

ESD 管反向偏置時（未擊穿），Cs可忽略，Cj≈Cd，其大小與PN結(jié)面積A成正比，與耗盡區(qū)寬度W成反比

Cd=εA/W，ε為半導(dǎo)體介電常數(shù)

二: 什么叫耗盡層電容（Cd）

• 形成基礎(chǔ)：PN結(jié)反向偏置時會形成耗盡層，空間電荷區(qū)的電荷會隨外加電壓變化，這種電荷變化特性等效為電容。
• 影響因素：主要和PN結(jié)面積、半導(dǎo)體摻雜濃度、反向偏壓相關(guān)，反向偏壓越大，Cd通常越小
• 實際意義：Cd會影響ESD二極管的高頻響應(yīng)，是高速電路選型時的重要考量參數(shù)

三: 什么叫擴散電容（Cs）

• 形成基礎(chǔ)：正向偏壓下，多子會注入對方區(qū)域并存儲，這些存儲載流子的數(shù)量隨電壓變化，等效為電容特性
• 影響因素：主要和正向電流大小、少數(shù)載流子壽命、溫度相關(guān)，正向電流越大，Cs通常越大。
• 實際意義：Cs主要影響二極管低頻到中頻的響應(yīng)，ESD防護場景中，高頻應(yīng)用下其影響遠小于耗盡層電容（Cd）

ESD參數(shù)表：https://www.www.ztby8.com/products/emsproduct/esd/index.html

ESD保護二極管的PN結(jié)結(jié)構(gòu)如何影響其泄放能力？ https://www.www.ztby8.com/news/knowledge/760.html

ESD保護二極管的雪崩擊穿與齊納擊穿在物理機制上差異？https://www.www.ztby8.com/news/knowledge/758.html

ESD靜電保護二極管與普通整流二極管有何本質(zhì)區(qū)別?   https://www.www.ztby8.com/news/knowledge/757.html

為何ESD保護二極管在反向偏置時漏電流IR？ https://www.www.ztby8.com/news/knowledge/762.html