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為什么部分ESD保護(hù)二極管采用 “雙向擊穿” 設(shè)計(jì)？

USB 2.0/3.0、HDMI、DP、以太網(wǎng)（RJ45）、I2C/SPI 總線（雙向通信）,DC-DC 電源輸入口、電池供電線路、5V/12V 設(shè)備電源接口

ESD保護(hù)二極管的結(jié)電容Cj由哪些部分組成？

理論基礎(chǔ)：結(jié)電容（Cj）包括耗盡層電容（Cd）和擴(kuò)散電容（Cs）

為何ESD保護(hù)二極管在反向偏置時(shí)漏電流IR？

耗盡區(qū)的少子漂移電流-溫度升高時(shí)顯著增大 1.PN結(jié)表面的漏電流（受鈍化層質(zhì)量影響） 2.摻雜不均勻?qū)е碌木植侩妶?chǎng)集中電流 3.ESD管的IR通常設(shè)計(jì)為 < 1μA（25℃時(shí)），避免影響被保護(hù)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)

ESD Array 陣列響應(yīng)速度?

PESD5V0C1ULS-Q PESD5V0C2UM-Q PESD5V0F1BL-Q PESD5V0F1BLD-Q PESD5V0F1BRLD-Q PESD5V0H1BLG-Q PESD5V0H1BLL-Q PESD5V0L1BA-Q PESD5V0L1UA-Q

ESD保護(hù)二極管的PN結(jié)結(jié)構(gòu)如何影響其泄放能力？

ESD保護(hù)二極管的PN 結(jié)結(jié)構(gòu)（如平面型、溝槽型）如何影響其ESD泄放能力？ 1.平面型 PN 結(jié)： PN結(jié)位于芯片表面，結(jié)面積易做大，可承受更大的ESD脈沖電流（如:HBM 15kV），但寄生電容較大（因結(jié)面積大），且表面易受污染物影響導(dǎo)致?lián)舸╇妷翰环€(wěn)定，適用于低頻、大電流防護(hù)場(chǎng)景（如:電源VBUS） 1.1 平面型 PN 結(jié)是一種通過(guò)平面工藝（如光刻、擴(kuò)散或離子注入）在半導(dǎo)體晶片表面形成

ESD保護(hù)二極管的雪崩擊穿與齊納擊穿在物理機(jī)制上差異？

首先簡(jiǎn)單理解的雪崩與齊納擊穿之間差異：雪崩擊穿：高反向電壓使耗盡區(qū)中載流子獲得足夠能量，與晶格原子碰撞產(chǎn)生新的電子 - 空穴對(duì)（雪崩倍增），導(dǎo)致反向電流驟增；擊穿電壓隨溫度升高而升高（正溫度系數(shù)），適用于高電壓、大電流場(chǎng)景（如電源端防護(hù)）齊納擊穿：低反向電壓使耗盡區(qū)中強(qiáng)電場(chǎng)直接將束縛電子拉出共價(jià)鍵（場(chǎng)致發(fā)射），反向電流驟增；擊穿電壓隨溫度升高而降低（負(fù)溫度系數(shù)）

ESD靜電保護(hù)二極管與普通整流二極管有何本質(zhì)區(qū)別

一、芯片流片摻雜工藝：從 “材料結(jié)構(gòu)” 決定器件特性差異芯片摻雜工藝是二者最核心的底層差異，直接決定了器件的擊穿特性、芯片摻雜工藝是二者最核心的底層差異，直接決定了器件的擊穿特性、響應(yīng)速度、導(dǎo)通能力等關(guān)鍵參數(shù)，本質(zhì)是通過(guò)調(diào)整摻雜元素（如 P 型硼、N 型磷）的濃度、分布區(qū)域、結(jié)深對(duì)比維度 ESD 靜電保護(hù)二極管普通整流二極管（以

用頻譜儀如何定位汽車(chē)電子EMC出現(xiàn)電磁干擾問(wèn)題？

汽車(chē)電程師都知道，在汽車(chē)電子EMS中定位電磁干擾源時(shí)，頻譜分析儀起到核心作用，它是用來(lái)捕獲干擾的頻率特征并結(jié)合空間分布定位源頭，具體方法和參數(shù)設(shè)置如下：第一步：定位步驟初步掃頻：先用頻譜分析儀對(duì)整車(chē)或目標(biāo)系統(tǒng)（如車(chē)載雷達(dá)、ECU）進(jìn)行全頻段掃描（通常 10kHz~6GHz，覆蓋汽車(chē)電子常見(jiàn)干擾頻段），記錄干擾信號(hào)的中心頻率、帶寬及強(qiáng)度

不同品牌和型號(hào)的PLC在電磁兼容性方面有哪些差異？

1.不同品牌和型號(hào)的PLC在電磁兼容性方面有哪些差異？》》》不同品牌和型號(hào)的PLC在電磁兼容性上的差異主要源于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)、元器件選型和防護(hù)等級(jí)，具體差異及選型原則如下 · EMC 差異的核心體現(xiàn) o 抗擾度等級(jí)：如西門(mén)子 S7-1200 系列靜電放電抗擾度達(dá) ±8kV（接觸放電），而部分國(guó)產(chǎn)入門(mén)級(jí) PLC 僅 ±4kV；施耐德M3

總計(jì) 117 12 3 4 5 6 7 8...12 13

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