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據(jù)報(bào)道,德國硅基氮化鎵專家ALLOSSemiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(xué)(KAUST)研究團(tuán)隊(duì)達(dá)成合作,雙方將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色MicroLED。據(jù)了解,大晶格失配(latticemismatch)和量子限制斯塔克效應(yīng)(quantum-confinedStarkeffect,QCSE)等問題限制了紅色氮基LED在實(shí)際工業(yè)應(yīng)用中的使用,而ALLOS與KAUST本次合作將致力于解決這些基本問題。

圖片來源:KAUST
值得注意的是,在MicroLED顯示領(lǐng)域,除了藍(lán)色和綠色LED之外,MicroLED顯示還對(duì)在大尺寸晶圓上生長紅色LED有強(qiáng)勁的需求,目的在于降低制造復(fù)雜性和成本。
據(jù)悉,KAUST團(tuán)隊(duì)此前通過采用局部應(yīng)變補(bǔ)償(LocalStrainCompensation)和改良后的MOCVD反應(yīng)器設(shè)計(jì),在開發(fā)正向電壓(ForwardVoltage)低于2.5V且高效的InGaN基紅色MicroLED方面獲得了一些突破。他們已在藍(lán)寶石襯底和Ga2O3(氧化鎵)襯底上生長出紅色LED。
為了采用晶圓級(jí)(尤其是大尺寸晶圓)工程應(yīng)變技術(shù)來開發(fā)潛在高性能紅色LED,KAUST團(tuán)隊(duì)與ALLOS共同將研究工作延伸到硅襯底上。憑借能夠?qū)⒕A片擴(kuò)展到300mm以及在硅襯底產(chǎn)線上加工的能力,雙方的合作將加快量產(chǎn)進(jìn)程。對(duì)于MicroLED顯示器,特別是用于AR設(shè)備的單片集成MicroLED顯示器而言,這將是另一個(gè)重要的助攻。
KAUST團(tuán)隊(duì)與ALLOS將充分利用各自的專業(yè)知識(shí)來處理應(yīng)變問題,優(yōu)化硅基氮化鎵和紅色LED的晶體生長條件,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)在硅基氮化鎵緩沖層上生長紅色LED堆棧(Stack)。