氮化鎵（GaN）技術(shù)也取得重要進(jìn)展
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院崔鵬、韓吉?jiǎng)俳淌趫F(tuán)隊(duì)研發(fā)出具有晶態(tài)氮化硅（SiN）帽層的新型 GaN 高電子遷移率晶體管（HEMT）。與傳統(tǒng)器件相比，該器件飽和電流提升 41%，擊穿電壓提升 30%。團(tuán)隊(duì)通過(guò)原位生長(zhǎng)技術(shù)，首次在 AlGaN 勢(shì)壘層上生長(zhǎng)出 2nm 晶態(tài) SiN 帽層，降低了界面態(tài)密度，有效抑制尖峰電場(chǎng)分布，簡(jiǎn)化了工藝流程并節(jié)約成本，在 GaN 功率開(kāi)關(guān)和高功率微波領(lǐng)域具有重要應(yīng)用潛力。?
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這些技術(shù)突破表明，半導(dǎo)體功率器件正朝著高性能、高可靠性方向加速發(fā)展，將有力推動(dòng)新能源汽車、航天、通信等多個(gè)行業(yè)的技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)業(yè)變革。隨著研發(fā)的持續(xù)投入和產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新，功率器件技術(shù)有望在未來(lái)取得更多突破，為全球科技發(fā)展提供強(qiáng)大支撐
https://dpt.sdu.edu.cn/info/1037/3395.htm
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