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時(shí)刻與您分享我們的一點(diǎn)一滴

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PoC 電感器 3225 尺寸系列正式量產(chǎn)，賦能車載智能高速互聯(lián)

公司電感器POC 3225 系列的研發(fā)及量產(chǎn)準(zhǔn)備，該產(chǎn)品于 2025 年 2 月正式投放市場(chǎng)，專為高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）及車載攝像頭網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)，以 3.2mm×2.5mm 的緊湊尺寸實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的寬頻帶性能與高可靠性，助力汽車線束輕量化與高速數(shù)據(jù)傳輸 POC 3225 系列采用創(chuàng)新的雙繞組結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在 1MH

IGBT的工作原理

在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢(shì)在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MO

ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結(jié);短路正向偏置的PN結(jié);熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。為了消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞,需要采取多種技術(shù)手段進(jìn)行防范。在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過(guò)分層

華為首家海外工廠將落地法國(guó)

據(jù)中時(shí)新聞網(wǎng)12月10日披露，華為法國(guó)分公司副總經(jīng)理張明剛透露，華為首家海外工廠已經(jīng)確定落地法國(guó)，占地約8公頃，預(yù)計(jì)2025年底投產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，華為這一項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資2億歐元，年產(chǎn)值可達(dá)10億歐元。這座工廠預(yù)計(jì)年產(chǎn)10億臺(tái)設(shè)備，但并非生產(chǎn)智能手機(jī)，而是4G和5G基站所需的芯片組、主板等零部件，可供應(yīng)整個(gè)歐洲市場(chǎng)。報(bào)道稱，華為于2003年進(jìn)入法國(guó)，目前在巴黎擁有6個(gè)研發(fā)中心、1個(gè)全球設(shè)計(jì)中心。華

汽車需要的半導(dǎo)體

來(lái)源：高芯圈不僅是EV和油電混合車，對(duì)于純?nèi)加蛙嚩?，半?dǎo)體也是必不可缺的零部件。這是人們有目共睹的事實(shí)。就拿近期的潔凈柴油車（Clean Diesel Vehicle）而言，其模式如下：每燃燒一次，要噴射五次左右的燃料，有效使用燃料、牽出轉(zhuǎn)矩（Torque），雖然燃油量增加了，但是卻可以盡可能地排出潔凈的氣體。雖說(shuō)以毫秒為單位進(jìn)行控制，但對(duì)計(jì)算機(jī)而

芯片行業(yè)，2024拐點(diǎn)將至？

來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察 11月28日，世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）公布其對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)的最新預(yù)測(cè)。因生成式AI普及、帶動(dòng)相關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)品需求急增，且存儲(chǔ)需求預(yù)估將呈現(xiàn)大幅復(fù)蘇，因此將2024年全球半導(dǎo)體銷售額預(yù)估值自前次(6月6日)預(yù)估的5,759.97億美元上修至5,883.64億美元、將年增13.1%，超越2022年的5,740.84億美元、創(chuàng)歷史新高。 2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)有望觸底反

全球五大存儲(chǔ)廠最新財(cái)報(bào)，釋放出哪些信號(hào)?

來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察 Sina Weibo 由于需求衰退，2023年存儲(chǔ)器市場(chǎng)承受著供應(yīng)過(guò)剩、價(jià)格下跌的壓力，不過(guò)隨著第四季度到來(lái)，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品價(jià)格逐漸上升，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)有望擺脫低谷的困擾，全球五大原廠最新財(cái)報(bào)，也同樣印證了上述觀點(diǎn)。 01五大原廠財(cái)報(bào)出爐，憂中有喜？從五大廠三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)的最新財(cái)報(bào)看，盡管廠商出現(xiàn)營(yíng)收虧

長(zhǎng)城汽車自研IGBT量產(chǎn)裝車

11月14日，長(zhǎng)城汽車發(fā)文稱，長(zhǎng)城控股旗下芯動(dòng)半導(dǎo)體自研自產(chǎn)的IGBT實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)裝車，該項(xiàng)目從立項(xiàng)研發(fā)到裝車僅用了14個(gè)月。目前，芯動(dòng)半導(dǎo)體無(wú)錫工廠已完成建設(shè)，自今年2月奠基以來(lái)，歷時(shí)8個(gè)月，工廠主體封頂，首條模塊產(chǎn)線于10月28日順利通線。工廠擁有國(guó)內(nèi)一流測(cè)試環(huán)境，能夠滿足IGBT功率模塊的嚴(yán)苛質(zhì)量管理要求，快速響應(yīng)車型需求，定向開(kāi)發(fā)產(chǎn)品。此外，據(jù)悉，今年10月，長(zhǎng)城汽車銷量達(dá)13.13萬(wàn)

2024年智能手機(jī)RAM將從20GB起跳？

近期，外媒Wccftech報(bào)道，2024年流行趨勢(shì)之一是終端AI，現(xiàn)內(nèi)建于多款芯片組，如Snapdragon 8 Gen 3、天璣9300和Exynos2400。又有新消息提出，有AI功能的智能手機(jī)需要更多內(nèi)存，內(nèi)建AI功能的Android手機(jī)內(nèi)存容量至少20GBRAM將成為標(biāo)準(zhǔn)。 8GB RAM雖仍是Android智能手機(jī)標(biāo)準(zhǔn)，但已看到比多數(shù)筆電或PC更高內(nèi)存的手機(jī)，雖還沒(méi)成為標(biāo)配。為了讓將來(lái)

什么是功率半導(dǎo)體器件

功率半導(dǎo)體器件是指可在主電路中直接實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換或電路控制的電子器件，主要用于電力變換，包括整流、逆變、直流斬波，以及交流電力控制、變頻或變相。不同于其他類型半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體能夠耐受高電壓、大電流，通常工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，是電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，對(duì)電能高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制起著關(guān)鍵作用。功率半導(dǎo)體器件根據(jù)載流子類型可以分為雙極型功率半導(dǎo)體和單極型功率半導(dǎo)體器件。雙極型功率半導(dǎo)體器件包

總計(jì) 291 1 2...10 11 121314 15 16...32 33

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