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在MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）中，電流和電壓之間存在一定的關(guān)系。MOSFET的電流與柵極電壓和漏極電壓相關(guān)，可以通過以下幾個關(guān)鍵參數(shù)來描述：
1. 閾值電壓（Threshold Voltage，Vth）：當柵極電壓大于等于閾值電壓時，MOSFET開始導通。在Vth之下，MOSFET處于截止狀態(tài)，導通電流非常小。
2. 開啟電壓（Turn-On Voltage）：當柵極電壓超過一定值，使MOSFET完全導通，電流開始流過通道。這個電壓通常稱為開啟電壓或飽和電壓。
3. 飽和電流（Saturation Current）：當MOSFET完全導通時達到的最大電流值。在飽和區(qū)，MOSFET的漏極電壓對電流的影響相對較小，電流幾乎不再隨漏極電壓的變化而變化。
總之，MOSFET的導通和截止狀態(tài)主要由柵極電壓來控制，而電流的大小取決于柵極與漏極之間的電壓差以及MOSFET的內(nèi)部特性（如維持電流、場效應遷移率等）。
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