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PoC 電感器 3225 尺寸系列正式量產(chǎn),賦能車(chē)載智能高速互聯(lián)
2025-03-15
       公司電感器POC 3225 系列的研發(fā)及量產(chǎn)準(zhǔn)備,該產(chǎn)品于 2025 年 2 月正式投放市場(chǎng),專(zhuān)為高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)及車(chē)載攝像頭網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì),以 3.2mm×2.5mm 的緊湊尺寸實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的寬頻帶性能與高可靠性,助力汽車(chē)線(xiàn)束輕量化與高速數(shù)據(jù)傳輸   POC 3225 系列采用創(chuàng)新的雙繞組結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在 1MH
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NTC功率熱敏電阻的主要參數(shù)有哪些?使用注意事項(xiàng)?
2023-06-13
NTC功率熱敏電阻的主要參數(shù)包括:額定功率、額定阻值、溫度系數(shù)、使用溫度范圍、精度等。注意事項(xiàng):1. 應(yīng)按照電路要求正確選擇額定功率和額定阻值。2. 溫度系數(shù)要與使用環(huán)境相匹配,以達(dá)到較好的溫度測(cè)量效果。3. 使用溫度范圍應(yīng)該符合電阻的使用要求,防止溫度過(guò)高或過(guò)低因?yàn)殡娮钃p壞。4. 需要注意防護(hù)措施,避免受潮、受污染等外界因素影響。5. 在使用時(shí)應(yīng)避免過(guò)度振動(dòng)和沖擊,以免電阻元件損壞。
zno壓敏電阻的主要參數(shù)有哪些?使用注意事項(xiàng)?
2023-06-13
ZnO壓敏電阻是一種常用的電子元件,用于保護(hù)電子設(shè)備免受電壓過(guò)高的影響。其主要參數(shù)包括:1. 額定電壓(Rated voltage):ZnO壓敏電阻在標(biāo)準(zhǔn)工作條件下能夠承受的最大電壓值。2. 額定功率(Rated Power):ZnO壓敏電阻在標(biāo)準(zhǔn)工作條件下能夠承受的最大功率值。3. 阻值(Resistance):ZnO壓敏電阻的電阻值,在不同工作條件下可能有所不同。4. 電容(Capacitance):ZnO壓敏電阻的電容,通常比同等參數(shù)的電阻要小。5. 響應(yīng)時(shí)間(Response Time):ZnO壓敏電阻在遇到過(guò)壓時(shí)的反應(yīng)時(shí)間。使用ZnO壓敏電阻時(shí)需要注意以下幾點(diǎn):1. 必須選擇符合設(shè)計(jì)需求的ZnO壓敏電阻,以確保其正常工作和保護(hù)被保護(hù)設(shè)備的穩(wěn)定性。2. 選擇正確額定電壓和功率的ZnO壓敏電阻,以避免超壓及電功率超過(guò)器件承受能力。3. 在使用過(guò)程中,避免將過(guò)大的峰值電壓施加到ZnO壓敏電阻上,以免損壞該器件。4. 嚴(yán)格按照使用場(chǎng)所要求選擇和安裝ZnO壓敏電阻,避免過(guò)度震動(dòng)或機(jī)械損壞。5. 安全儲(chǔ)存和使用ZnO壓敏電阻,以防止它們?cè)庥鰴C(jī)械或化學(xué)性質(zhì)的損害。6. 不要用手觸摸壓敏電阻的引腳或表面,以免電氣危險(xiǎn)或損壞該器件。
MosFET的主要參數(shù)有哪些?使用注意事項(xiàng)?
2023-06-13
MOSFET,全稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是常用的功率半導(dǎo)體器件之一。其主要參數(shù)包括:1. 額定電壓(VDS):MOSFET最大耐受電壓。2. 最大電流(ID):MOSFET的最大電流容量。3. 開(kāi)啟電阻(RDS(on)):MOSFET切換開(kāi)的電阻。4. 門(mén)電壓(VGS):MOSFET的門(mén)電壓,控制其電導(dǎo)變化。5. 閾值電壓(Vth):MOSFET起效的門(mén)極電壓。6. 符號(hào)溫度系數(shù)(VT):MOSFET門(mén)極電壓隨溫度變化的程度,常用來(lái)衡量器件的溫度穩(wěn)定性。使用MOSFET時(shí)需要注意以下幾點(diǎn):1. 選擇規(guī)格和參數(shù)合適的MOSFET,以保證其正常工作和長(zhǎng)壽命。2. 確保MOSFET的工作電壓不超過(guò)其額定電壓,并注意盡量避免過(guò)電壓和過(guò)電流。3. 適當(dāng)冷卻MOSFET以降低其溫度,提高可靠性和壽命。4. 正確選擇和設(shè)計(jì)MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路,以確保其正常開(kāi)啟和關(guān)閉。5. 避免MOSFET的靜電放電或機(jī)械損壞,因?yàn)檫@些因素可能導(dǎo)致MOSFET損壞或失效。6. 正確使用MOSFET工具和儀器,能夠幫助您更好地檢測(cè)和維護(hù)MOSFET,以保證器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和性能。
GDT氣體放電管的主要參數(shù)有哪些?使用注意事項(xiàng)?
2023-06-13
GDT氣體放電管(Gas Discharge Tube)是一種用于保護(hù)電子設(shè)備的電氣保護(hù)元件。其主要參數(shù)包括:1. 額定電壓(Rated Voltage):氣體放電管的工作電壓范圍。2. 漏電流(leakage):固定電壓下,GDT氣體放電管的漏電流。3. 動(dòng)作電壓(Strike Voltage):GDT氣體放電管開(kāi)始帶電放電時(shí)的電壓值。4. 保護(hù)電流(Holding Current):氣體放電管正常工作時(shí)的電流值。5. 時(shí)間到保護(hù)電流和電壓(Time to Protection Current/Voltage):氣體放電管能夠最終啟動(dòng)的保護(hù)電流和電壓下的反應(yīng)時(shí)間。使用GDT氣體放電管時(shí)需要注意以下幾點(diǎn):1. 所選擇的GDT氣體放電管要滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求,不能超過(guò)其最大額定電壓和電流。2. 氣體放電管通常安裝在需要保護(hù)的電路入口端,以提供最佳電路保護(hù)。3. GDT氣體放電管的帶電放電后,會(huì)導(dǎo)致其內(nèi)部電容器被放電,會(huì)形成瞬間高壓,因此要采取維護(hù)好地線(xiàn)和引導(dǎo)電線(xiàn),并且避免直接接觸。4. 不要擅自更改氣體放電管的參數(shù)或進(jìn)行拆卸和修理,以避免電氣危險(xiǎn)。5. 正確選擇和使用GDT氣體放電管可以大大提高電子產(chǎn)品的耐電壓水平,減少電路故障,延長(zhǎng)電子產(chǎn)品的使用壽命。
TSS晶閘管的主要參數(shù)有哪些?使用注意事項(xiàng)?
2023-06-13
TSS晶閘管(Transient Voltage Suppressor SCR)的主要參數(shù)包括:1. 最大峰值電壓(VDRM):TSS晶閘管能夠承受的最大周期性重復(fù)峰值電壓。2. 最大可控電流(ITSM):TSS晶閘管能夠承受的最大瞬時(shí)可控電流。3. 尖頂脈沖電流(IH):TSS晶閘管能夠承受的瞬間脈沖電流。4. 工作溫度范圍:TSS晶閘管能夠穩(wěn)定工作的溫度范圍。5. 觸發(fā)電流(ITH):需要提供的觸發(fā)電流,啟動(dòng)TSS晶閘管可控晶閘管電路的導(dǎo)通。使用TSS晶閘管時(shí)需要注意以下幾點(diǎn):1. 所使用的TSS晶閘管必須符合設(shè)計(jì)要求,不能超過(guò)其最大額定電壓和電流。2. 對(duì)于TSS晶閘管的觸發(fā)電路,必須充分考慮電源噪聲和干擾。3. TSS晶閘管在加熱過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生熱量,尤其是在高溫環(huán)境下使用時(shí)更需要注意散熱。4. 需要通過(guò)正規(guī)途徑購(gòu)買(mǎi)TSS晶閘管,確保其質(zhì)量和可靠性。5. 在安裝和操作TSS晶閘管時(shí),需要遵守相關(guān)的安全規(guī)范。 https://www.www.ztby8.com/products/emsproduct/tss/index.html
ESD保護(hù)二極管失效模式和使用注意事項(xiàng)
2023-06-13
ESD保護(hù)二極管在使用過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)失效,常見(jiàn)的失效模式主要有以下幾種:1. 抑制電路失效:當(dāng)ESD保護(hù)二極管被過(guò)度激活或過(guò)度快速激活時(shí),可能會(huì)導(dǎo)致抑制電路失效,從而無(wú)法保護(hù)被保護(hù)部件免受靜電放電的影響。2. 斷路:ESD保護(hù)二極管可能會(huì)因?yàn)楸贿^(guò)度激活或過(guò)度快速激活而失效,導(dǎo)致斷路狀態(tài),這時(shí)它將對(duì)被保護(hù)部件毫無(wú)作用。3. 短路:部分ESD保護(hù)二極管在失效時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)短路狀態(tài),這將導(dǎo)致它對(duì)被保護(hù)部件造成不必要的負(fù)擔(dān)。使用ESD保護(hù)二極管時(shí),應(yīng)注意以下事項(xiàng):1. 要確保ESD保護(hù)二極管的使用限制不被超越,包括最大電壓、最大電流和工作溫度。2. 應(yīng)該按照正確的引腳布局、焊接和機(jī)械安裝指南進(jìn)行使用,以確保穩(wěn)定性和可靠性。3. 當(dāng)ESD保護(hù)二極管失效時(shí),必須立即更換,以保持保護(hù)作用。
TVS瞬態(tài)抑制二極管的功率分類(lèi)
2023-06-13
根據(jù)不同的電壓等級(jí)和功率大小,TVS瞬態(tài)抑制二極管可以分為多種分類(lèi)。以下是一些常見(jiàn)的分類(lèi)方式:1. 按照工作電壓等級(jí)分:可分為低壓(3kV)三類(lèi)。2. 按照額定功率分:可分為小功率(30W)三類(lèi)。3. 按照包裝類(lèi)型分:可分為SMD、DO-214AB、DO-15等不同封裝形式。4. 按照觸發(fā)電壓分:可分為單向和雙向兩種,其中雙向TVS二極管還可分為對(duì)稱(chēng)和非對(duì)稱(chēng)兩種。5. 按照應(yīng)用領(lǐng)域分:可分為消費(fèi)電子、通信、汽車(chē)電子等不同應(yīng)用場(chǎng)景。以上分類(lèi)方式僅為一種常見(jiàn)的分類(lèi)方法,實(shí)際上還有其他的分類(lèi)方法,如按照工作溫度范圍、反向漏電流等級(jí)等進(jìn)行分類(lèi)。分類(lèi)的目的在于方便選擇和應(yīng)用不同種類(lèi)的tvs瞬態(tài)抑制二極管,以滿(mǎn)足不同的需求。
SPD電子防雷模塊是什么, 一般使用方法?
2023-06-13
SPD(Surge Protective Device)電子防雷模塊是一種可以防止過(guò)電壓/過(guò)電流損壞電子設(shè)備的電子防護(hù)裝置。它可以有效地保護(hù)電子設(shè)備免受雷擊、電網(wǎng)過(guò)壓、靜電和電磁干擾等的影響。一般使用方法如下:1.根據(jù)設(shè)備的電壓等級(jí)和使用環(huán)境,選擇相應(yīng)的SPD電子防雷模塊。2.將SPD電子防雷模塊安裝在電子設(shè)備的電源或信號(hào)線(xiàn)路上,可以采用并聯(lián)、串聯(lián)或混合連接的方式。3.在安裝過(guò)程中,需要注意正確的接線(xiàn)方法和接線(xiàn)順序。4.測(cè)試SPD電子防雷模塊的保護(hù)功能,可以通過(guò)電壓測(cè)試或過(guò)電流測(cè)試等方式來(lái)確定其效果。5.根據(jù)設(shè)備使用期限和使用環(huán)境,定期對(duì)SPD電子防雷模塊進(jìn)行檢測(cè)和維護(hù),確保其正常工作。
TVS瞬態(tài)抑制二極管的國(guó)際封裝形式有哪些?
2023-06-13
TVS瞬態(tài)抑制二極管,國(guó)際封裝形式有以下幾種: 1. DO-15:直徑約3.5毫米,長(zhǎng)度約9.5毫米。2. DO-214AA:直徑約6.6毫米,長(zhǎng)度約5.5毫米。3. DO-214AB:直徑約9.1毫米,長(zhǎng)度約6.8毫米。4. SMB:具有封裝緊湊、安裝方便等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于對(duì)空間要求較高的電子設(shè)備中。5. SMC:體積較小,可實(shí)現(xiàn)較高的承受能力和快速響應(yīng)時(shí)間,常用于車(chē)載電子設(shè)備等領(lǐng)域。6. DFN:封裝小巧,適用于高端數(shù)碼產(chǎn)品和微型電子設(shè)備。7.R-600軸向8.Do-218AB 其中,DO-15是瞬態(tài)抑制二極管的經(jīng)典封裝形式,被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、通訊設(shè)備、電源管理等領(lǐng)域。其他封裝形式則主要是為了適應(yīng)不同應(yīng)用場(chǎng)景和實(shí)現(xiàn)更高的性能要求而發(fā)展起來(lái)的。
總計(jì) 291 12...18192021222324...3233
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