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PoC 電感器 3225 尺寸系列正式量產(chǎn)，賦能車載智能高速互聯(lián)

公司電感器POC 3225 系列的研發(fā)及量產(chǎn)準備，該產(chǎn)品于 2025 年 2 月正式投放市場，專為高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）及車載攝像頭網(wǎng)絡(luò)設(shè)計，以 3.2mm×2.5mm 的緊湊尺寸實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的寬頻帶性能與高可靠性，助力汽車線束輕量化與高速數(shù)據(jù)傳輸 POC 3225 系列采用創(chuàng)新的雙繞組結(jié)構(gòu)設(shè)計，在 1MH

清華大學(xué)教授魏少軍：中國要重新理解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球化，維護全球供應(yīng)鏈完整性

6月17日，由芯謀研究承辦的第二屆中國·南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（2023 IC NANSHA）在廣州南沙開幕?！睹咳战?jīng)濟新聞》記者現(xiàn)場了解到，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授魏少軍出席論壇并發(fā)表了 “半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的再全球化”主旨講話。魏少軍提到，逆全球化思潮下，當(dāng)前中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨較嚴峻挑戰(zhàn)。他指出，過去十多年來，我們認為中國的芯片制造發(fā)展較快，但實際

等離子體形成的基本原理？

等離子體形成的基本原理涉及到物質(zhì)被加熱至足夠高溫度以使其電離，將電子從原子或分子中解離出來形成自由電子和帶正電的離子。以下是等離子體形成的主要步驟： 1. 加熱：物質(zhì)被加熱到足夠高的溫度。高溫可以通過電擊、高能光或熱能等形式提供。 2. 離子化：高溫使物質(zhì)的原子或分子獲得足夠的能量，引發(fā)電離現(xiàn)象。在這個過程中，束縛在原子或分子中的電子被解離出來，形成自由電子和帶正電的離子。 3. 電中性：在

N型SIC和P型SIC的歐姆接觸的基本原理？

N型碳化硅和P型碳化硅的歐姆接觸的基本原理是通過合適的金屬材料與碳化硅材料之間的電子轉(zhuǎn)移來建立接觸電阻盡可能小的電氣連接。對于N型碳化硅，其導(dǎo)電性主要由額外的自由電子貢獻。當(dāng)金屬與N型碳化硅接觸時，金屬中的自由電子可以輕易地進入N型碳化硅中，形成電子注入，使碳化硅形成具有低電阻的接觸。對于P型碳化硅，其導(dǎo)電性主要由空穴貢獻。當(dāng)金屬與P型碳化硅接觸時，金屬中的自由電子與P型碳化硅

單極型功率二極管和雙極型功率二極管差異？

單極型功率二極管和雙極型功率二極管之間的主要差異在于其不同的結(jié)構(gòu)和工作原理主要應(yīng)用方面，單極型功率二極管通常用于開關(guān)電源、逆變器等高頻應(yīng)用中，而雙極型功率二極管則主要用于電力電子應(yīng)用中的整流、驅(qū)動和保護電路等。在器件的優(yōu)值系數(shù)方面，單極型功率二極管通常具有較低的開通電壓降和較快的開關(guān)速度，適用于高頻應(yīng)用。雙極型功率二極管則往往具有較高的反向耐壓和較大的電流承受能力，適用于大功率應(yīng)用

太陽能逆變器的快恢復(fù)二極管的用途？使用注意事項？

快恢復(fù)二極管（Fast Recovery Diode，簡稱FRD）在太陽能逆變器中的主要作用是用于電流的反向?qū)ê头乐闺妷悍瓷??？旎謴?fù)二極管的使用注意事項如下：1. 逆變器設(shè)計時需要選擇合適的快恢復(fù)二極管，確保其額定電流和電壓等參數(shù)符合逆變器的工作要求。2. 確?？旎謴?fù)二極管正常的散熱條件，在高溫環(huán)境下需要進行合理的散熱措施，以防止過熱導(dǎo)致失效。3.&nbs

功率MOSFET在光伏優(yōu)化器的失效模式？

MOSFET在光伏優(yōu)化器中可能出現(xiàn)的失效模式包括以下幾種：1. 功率MOSFET過熱：如果功率MOSFET長時間工作在高負載下，可能會導(dǎo)致器件溫度過高，超過其額定溫度范圍，從而失效。2. 粗糙開關(guān)：當(dāng)功率MOSFET開關(guān)頻率較高時，可能會出現(xiàn)開關(guān)過程中由于器件內(nèi)部電荷積累的不足而導(dǎo)致的電流間斷或閃爍現(xiàn)象，這稱為粗糙開關(guān)。長時間的粗糙開關(guān)操作可能導(dǎo)致MOSFET失效。3.&nbs

什么是碳化硅的離子注入？選擇性摻雜技術(shù)又是講什么？

碳化硅的離子注入是一種技術(shù)，用于在碳化硅材料中引入特定的雜質(zhì)原子。離子注入通常通過高能離子束將所需的摻雜物注入到碳化硅晶體中。離子注入過程包括以下步驟：1. 選擇要注入的目標雜質(zhì)原子，通常是硼（B）、氮（N）或磷（P）等。2. 準備碳化硅襯底和膜層，以便承載和保護離子注入過程。3. 使用離子注入機將高能離子束引入碳化硅材料。離子束會穿過膜層并注入到碳化硅晶體中。4.&

平面MOSFET和超結(jié)MOSFET 兩者的差別？電路設(shè)計使用時注意哪些問題？

平面MOSFET和超結(jié)MOSFET是兩種不同的MOSFET結(jié)構(gòu)，它們有一些差異。1. 結(jié)構(gòu)差異：- 平面MOSFET：平面MOSFET是最常見的MOSFET結(jié)構(gòu)，由三個主要區(qū)域組成：柵極、通道和漏極。柵極和漏極之間有一個絕緣層，用于控制通道的導(dǎo)電性。- 超結(jié)MOSFET：超結(jié)MOSFET是一種特殊設(shè)計的MOSFET，具有額外的特殊結(jié)構(gòu)，即超結(jié)。超結(jié)結(jié)構(gòu)通常是通過薄膜沉

碳化硅的 Mosfet，如何更好解決靜電問題？

碳化硅的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）相比傳統(tǒng)硅MOSFET具有更高的擊穿電場強度和較低的漏電流，因此在一定程度上能夠更好地抵御靜電問題。然而，為了進一步解決靜電問題，以下是一些常見的方法：1. 設(shè)計合適的保護電路：在MOSFET的輸入和輸出端進行靜電保護設(shè)計，例如使用TVS二極管或靜

總計 291 1 2...15 16 171819 20 21...32 33

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