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單個(gè)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr與陣列整體的ESD響應(yīng)速度有何關(guān)聯(lián)？

首先，理解一下反向恢復(fù)時(shí)間trr

反向恢復(fù)時(shí)間指的是二極管從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止?fàn)顟B(tài)所需的總時(shí)間，它直接決定了器件的高頻開關(guān)能力

trr 的構(gòu)成：兩個(gè)關(guān)鍵階段，兩個(gè)連續(xù)階段的時(shí)間總和構(gòu)成，公式為：trr = t1 + t2

• t1（反向恢復(fù)電流下降時(shí)間）：二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向偏置后，反向恢復(fù)電流從峰值降至零所需的時(shí)間。此階段主要是釋放器件內(nèi)部存儲(chǔ)的少數(shù)載流子
• t2（反向電壓建立時(shí)間）：反向電流降至零后，二極管兩端反向電壓逐漸上升到額定值所需的時(shí)間。此階段器件逐漸進(jìn)入穩(wěn)定的反向截止?fàn)顟B(tài)
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其次：影響trr的核心因素

1. 器件材料：硅材料二極管的trr通常比鍺材料更長(zhǎng)，因?yàn)楣璧纳贁?shù)載流子壽命更高
2. 摻雜濃度：PN結(jié)區(qū)摻雜濃度越高，少數(shù)載流子存儲(chǔ)量越少，trr越短
3. 工作條件：正向?qū)娏髟酱?、結(jié)溫越高，內(nèi)部存儲(chǔ)的載流子越多，trr會(huì)相應(yīng)變長(zhǎng)

多路陣列ESD，為什么會(huì)有二次擊穿的現(xiàn)象？

 “二次擊穿” 是半導(dǎo)體器件在強(qiáng)脈沖下的不可逆破壞性失效機(jī)制，它和常規(guī)的“一次擊穿（雪崩擊穿）” 有本質(zhì)區(qū)別，且在你描述的“trr 過長(zhǎng)+連續(xù)ESD脈沖”場(chǎng)景下，觸發(fā)風(fēng)險(xiǎn)會(huì)急劇升高。

要理解二次擊穿，必須先區(qū)分它與 “一次擊穿（雪崩擊穿）” 的本質(zhì)不同

 前者是破壞性、不可逆的失效

 后者是可逆、非破壞性的物理現(xiàn)象

結(jié)論：單個(gè)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）是決定陣列整體 ESD 響應(yīng)速度的核心 “短板因素”—— 陣列的 ESD 響應(yīng)速度無(wú)法快于陣列中trr最長(zhǎng)的那只二極管，且trr的個(gè)體差異會(huì)直接導(dǎo)致電流分配不均，進(jìn)一步拖慢整體響應(yīng)效率，甚至引發(fā)局部失效

附錄：

常見二極管類型 trr 及核心參數(shù)對(duì)比表

ESD參數(shù)表：https://www.www.ztby8.com/products/emsproduct/esd/index.html

ESD保護(hù)二極管的PN結(jié)結(jié)構(gòu)如何影響其泄放能力？https://www.www.ztby8.com/news/knowledge/760.html

ESD保護(hù)二極管的雪崩擊穿與齊納擊穿在物理機(jī)制上差異？https://www.www.ztby8.com/news/knowledge/758.html