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TOLL封裝的MOSFET特點(diǎn)以及技術(shù)優(yōu)勢(shì)

TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。 TOLL封裝（Transistor Outline Leadless）是一種先進(jìn)的功率器件封裝技術(shù)，具有多個(gè)顯著的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)TOLL封裝的詳細(xì)解析：一、基本特點(diǎn)

一文帶你了解什么是“車規(guī)級(jí)”？

一、引言 “車規(guī)級(jí)”是指符合汽車行業(yè)對(duì)電子元件特定要求的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)，這些標(biāo)準(zhǔn)確保汽車電子控制系統(tǒng)在復(fù)雜多變的運(yùn)行環(huán)境中能夠穩(wěn)定、可靠地工作。在汽車行業(yè)中，車規(guī)級(jí)元件的重要性不言而喻，它們直接關(guān)系到汽車的性能、安全性以及乘客的駕駛體驗(yàn)。由于汽車運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜多變，如高溫、低溫、高濕、振動(dòng)等極端條件，

如何找到一款更適合高壓BMS解決方案？

電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng) 電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)（BMS）是電動(dòng)汽車中用于監(jiān)測(cè)和管理電池系統(tǒng)性能的關(guān)鍵組件，它有助于平衡電池電量，防止過(guò)度充電和過(guò)度放電，從而確保鋰離子電池的安全、可靠和有效運(yùn)行，同時(shí)優(yōu)化電池的整體效率和壽命。電動(dòng)汽車

什么是車規(guī)級(jí)芯片？

在汽車智能化、電動(dòng)化的大趨勢(shì)下，車規(guī)級(jí)芯片市場(chǎng)呈現(xiàn)出巨大的增長(zhǎng)潛力，目前整個(gè)汽車芯片市場(chǎng)在安全、可靠性等方面要求較高，但在汽車市場(chǎng)中大部分芯片被國(guó)外廠商所壟斷，我國(guó)現(xiàn)處于國(guó)產(chǎn)替代不足，自給率低等現(xiàn)狀，急需加速突破。芯片根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景可分為消費(fèi)芯片、工業(yè)芯片、汽車芯片和軍工芯片等。汽車芯片，即“車規(guī)級(jí)芯片”，指滿足汽車質(zhì)量管理體系，符合可靠性和功能安全要求的集成電路，汽

IGBT功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)

一、什么是 IGBT？ IGBT 是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫(xiě)，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。IGBT 是由 MOSFET 和雙極晶體管組成的復(fù)合器件，是同時(shí)具備這兩種產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)的功率晶體管。IGBT 有 N 溝道型和 P 溝道型兩種，目前N 溝道型是主流產(chǎn)品。下圖 1 是 N 溝道 I

二極管和三極管的測(cè)量

電路中的電子元件主要有二極管、三極管、可控硅和場(chǎng)效應(yīng)管等，其中最常用的是二極管和三極管。正確判斷二極管、三極管的好壞是電工應(yīng)該掌握的基本技能之一。一、二極管的測(cè)量1、通常用萬(wàn)用表的Rx100Ω擋或Rx1kΩ擋來(lái)測(cè)量耐壓較低、電流較小的二極管。2、用萬(wàn)用表的電阻擋測(cè)量2AP9型二極管的正、反向電阻時(shí)，應(yīng)選擇Rx100Ω擋。如果二極管的正向電阻值在幾十歐至幾百歐，反

汽車數(shù)字鑰匙接口、信號(hào)及電磁兼容性保護(hù)

什么是“邊緣計(jì)算”？

“云計(jì)算”（cloud computing）相信大家都聽(tīng)說(shuō)過(guò)了。簡(jiǎn)單說(shuō)，就是把資源放在虛擬的網(wǎng)絡(luò)云上，用戶通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)可以訪問(wèn)和使用它們。那么什么是邊緣計(jì)算呢？它和云計(jì)算有什么區(qū)別？先來(lái)看看福布斯對(duì)2024年“邊緣計(jì)算”趨勢(shì)的預(yù)測(cè)： Edge Computing Everywhere Edge computing is a cloud-

為什么晶圓是圓形的？

為什么晶圓是圓形的？因?yàn)橹谱鞴に嚊Q定了它是圓形的。提純過(guò)后的高純度多晶硅是在一個(gè)子晶(seed)上旋轉(zhuǎn)生長(zhǎng)出來(lái)的。多晶硅被融化后放入一個(gè)坩堝(Quartz Crucible)中，再將子晶放入坩堝中勻速轉(zhuǎn)動(dòng)并且向上提拉，則熔融的硅會(huì)沿著子晶向長(zhǎng)成一個(gè)圓柱體的硅錠(ingot)。這種方法就是現(xiàn)在一直在用的CZ法(Czochralski)，也叫單晶直拉法。如下圖：

總計(jì) 117 1 2 3 456 7 8...12 13

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