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產(chǎn)品選型

產(chǎn)品篩選

EMS保護器件

TVS 瞬態(tài)抑制二極管 ESD 靜電保護元件 PPTC 自恢復(fù)保險絲 TSS 半導(dǎo)體放電管 GDT 氣體放電管 SBR 肖特基二極管 MOV 壓敏電阻 NTC 熱敏電阻 eFuse電子保險絲 *New*

EMI抑制器件

信號共模濾波電感電源共模濾波電感功率電感磁珠電感定制

PowerDevices功率器件

MOSFET RD 整流二極管 ZD 齊納二極管

SPD防雷模組

電源防雷器 PSPD 信號防雷器 SSPD 監(jiān)控防雷器 PSSPD Signal 信號保護防雷模組

Cross Reference 競品對照

ESD系列 TVS系列 ZNO 壓敏電阻 GDT 氣體放電管 PPTC 自恢復(fù)保險絲

首頁產(chǎn)品選型 PowerDevices功率器件 MOSFET

P MOS

功能介紹

采用先進的工藝制造技術(shù)、超優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)、更優(yōu)的工藝條件

低產(chǎn)品導(dǎo)通電阻

穩(wěn)定可靠的開關(guān)特性

小型化的封裝形式：DFN5*6、DFN3.3*3.3、DFN2*2

多樣化的直件封裝形式：TO-247、TOLL、TO-263、TO-220、TO-252、TO-251等等

專業(yè)、專注細分市場的產(chǎn)品特性研究、開發(fā)符合行業(yè)特色的產(chǎn)品

產(chǎn)品規(guī)格

相關(guān)產(chǎn)品

OLL MOSFET系列采用先進的晶體管外形無引線封裝（TOLL），顯著提升功率密度與電氣性能。其緊湊設(shè)計（9.90×11.68 mm2，高度2.3 mm）較傳統(tǒng)TO-263減少30% PCB占板面積及60%體積，適配高密度電源設(shè)計36。全系列具備超低導(dǎo)通電阻（最低0.77 mΩ）與寄生電感（2 nH），支持300A以上持續(xù)電流，大幅降低開關(guān)損耗并優(yōu)化EMI表現(xiàn)46。鍍錫焊盤與開爾文源極結(jié)構(gòu)增強散熱能力（熱阻低至0.35 K/W），支持175°C高溫運行及自動光學(xué)檢測（AOI），符合AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證1710。適用于電動汽車DC-DC轉(zhuǎn)換、儲能系統(tǒng)、服務(wù)器電源及圖騰柱PFC等高可靠性場景，助力能效提升至97%以上

N溝道MOSFET系列采用先進溝槽工藝與超結(jié)技術(shù)，實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻（低至0.59mΩ@10V）與優(yōu)值系數(shù)（FOM）610，顯著降低開關(guān)損耗（Qgd×RDS(on)優(yōu)化46%）及導(dǎo)通損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率。產(chǎn)品支持4.5V邏輯電平驅(qū)動，兼容3.3V/5V MCU控制，適用于高頻開關(guān)場景69。全系提供-55℃至175℃寬工作結(jié)溫范圍，通過AEC-Q101可靠性認(rèn)證，具備高雪崩能量（單脈沖325mJ）及低柵極電荷（典型值9.1nC）特性6710。封裝涵蓋SOP Advance(N)、TO-252-2L、PQFN 3.3×3.3等緊湊設(shè)計，滿足服務(wù)器電源、通信設(shè)備、藍牙耳機音頻管理、快充模塊及工業(yè)電源的高功率密度與高可靠性需求

軍工級MOSFET MOS系列產(chǎn)品，嚴(yán)格遵循MIL-PRF-19500及JAN認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，專為極端環(huán)境設(shè)計。全系列采用密封TO-205AD（TO-39）、陶瓷LCC等封裝，支持-55℃至+175℃寬溫工作范圍，耐受325℃峰值加工溫度，確保航空航天、衛(wèi)星電源及軍用裝備的高可靠性需求158。器件具備抗輻射性能（TID 100krad~300krad，LET 87 MeV·cm2/mg），有效抵御空間粒子干擾36。特性包括：1200V/60V高壓支持、40mΩ~5Ω超低導(dǎo)通電阻、8ns高速開關(guān)，適配DC-DC轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及固態(tài)繼電器應(yīng)用510。提供雙向瞬態(tài)電壓抑制，集成體二極管保護，顯著提升系統(tǒng)穩(wěn)定性與壽命

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