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產(chǎn)品選型

產(chǎn)品篩選

EMS保護(hù)器件

TVS 瞬態(tài)抑制二極管 ESD 靜電保護(hù)元件 PPTC 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲 TSS 半導(dǎo)體放電管 GDT 氣體放電管 SBR 肖特基二極管 MOV 壓敏電阻 NTC 熱敏電阻 eFuse電子保險(xiǎn)絲 *New*

EMI抑制器件

信號(hào)共模濾波電感電源共模濾波電感功率電感磁珠電感定制

PowerDevices功率器件

MOSFET RD 整流二極管 ZD 齊納二極管

SPD防雷模組

電源防雷器 PSPD 信號(hào)防雷器 SSPD 監(jiān)控防雷器 PSSPD Signal 信號(hào)保護(hù)防雷模組

Cross Reference 競(jìng)品對(duì)照

ESD系列 TVS系列 ZNO 壓敏電阻 GDT 氣體放電管 PPTC 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲

首頁(yè) 產(chǎn)品選型 PowerDevices功率器件 MOSFET

TOLL MOS

功能介紹

產(chǎn)品規(guī)格

相關(guān)產(chǎn)品

N溝道MOSFET系列采用先進(jìn)溝槽工藝與超結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻（低至0.59mΩ@10V）與優(yōu)值系數(shù)（FOM）610，顯著降低開(kāi)關(guān)損耗（Qgd×RDS(on)優(yōu)化46%）及導(dǎo)通損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率。產(chǎn)品支持4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)，兼容3.3V/5V MCU控制，適用于高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景69。全系提供-55℃至175℃寬工作結(jié)溫范圍，通過(guò)AEC-Q101可靠性認(rèn)證，具備高雪崩能量（單脈沖325mJ）及低柵極電荷（典型值9.1nC）特性6710。封裝涵蓋SOP Advance(N)、TO-252-2L、PQFN 3.3×3.3等緊湊設(shè)計(jì)，滿足服務(wù)器電源、通信設(shè)備、藍(lán)牙耳機(jī)音頻管理、快充模塊及工業(yè)電源的高功率密度與高可靠性需求

P溝道MOSFET系列提供高性能功率管理解決方案，覆蓋-20V至-150V寬電壓范圍，滿足工業(yè)、汽車及消費(fèi)電子嚴(yán)苛需求689。產(chǎn)品采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻（最低1.8mΩ@VGS=-10V），顯著降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)能效46。支持-3A至-85A寬電流范圍及高脈沖電流能力（-240A），確保高負(fù)載場(chǎng)景下的穩(wěn)定性278。低柵極電荷（典型值7nC）與快速開(kāi)關(guān)特性（td(on)≤15ns），優(yōu)化高頻PWM與電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用36。封裝兼容SOT-23、TO-252等緊湊設(shè)計(jì)，符合AEC-Q101認(rèn)證，適用于藍(lán)牙耳機(jī)音頻放大、電池保護(hù)、DC-DC轉(zhuǎn)換及空間級(jí)高可靠性系統(tǒng)7910。

MOS 軍工級(jí)

軍工級(jí)MOSFET MOS系列產(chǎn)品，嚴(yán)格遵循MIL-PRF-19500及JAN認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，專為極端環(huán)境設(shè)計(jì)。全系列采用密封TO-205AD（TO-39）、陶瓷LCC等封裝，支持-55℃至+175℃寬溫工作范圍，耐受325℃峰值加工溫度，確保航空航天、衛(wèi)星電源及軍用裝備的高可靠性需求158。器件具備抗輻射性能（TID 100krad~300krad，LET 87 MeV·cm2/mg），有效抵御空間粒子干擾36。特性包括：1200V/60V高壓支持、40mΩ~5Ω超低導(dǎo)通電阻、8ns高速開(kāi)關(guān)，適配DC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及固態(tài)繼電器應(yīng)用510。提供雙向瞬態(tài)電壓抑制，集成體二極管保護(hù)，顯著提升系統(tǒng)穩(wěn)定性與壽命

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