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TOLL MOS
OLL MOSFET系列采用先進(jìn)的晶體管外形無引線封裝(TOLL),顯著提升功率密度與電氣性能。其緊湊設(shè)計(9.90×11.68 mm2,高度2.3 mm)較傳統(tǒng)TO-263減少30% PCB占板面積及60%體積,適配高密度電源設(shè)計36。全系列具備超低導(dǎo)通電阻(最低0.77 mΩ)與寄生電感(2 nH),支持300A以上持續(xù)電流,大幅降低開關(guān)損耗并優(yōu)化EMI表現(xiàn)46。鍍錫焊盤與開爾文源極結(jié)構(gòu)增強散熱能力(熱阻低至0.35 K/W),支持175°C高溫運行及自動光學(xué)檢測(AOI),符合AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證1710。適用于電動汽車DC-DC轉(zhuǎn)換、儲能系統(tǒng)、服務(wù)器電源及圖騰柱PFC等高可靠性場景,助力能效提升至97%以上
N MOS
N溝道MOSFET系列采用先進(jìn)溝槽工藝與超結(jié)技術(shù),實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻(低至0.59mΩ@10V)與優(yōu)值系數(shù)(FOM)610,顯著降低開關(guān)損耗(Qgd×RDS(on)優(yōu)化46%)及導(dǎo)通損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率。產(chǎn)品支持4.5V邏輯電平驅(qū)動,兼容3.3V/5V MCU控制,適用于高頻開關(guān)場景69。全系提供-55℃至175℃寬工作結(jié)溫范圍,通過AEC-Q101可靠性認(rèn)證,具備高雪崩能量(單脈沖325mJ)及低柵極電荷(典型值9.1nC)特性6710。封裝涵蓋SOP Advance(N)、TO-252-2L、PQFN 3.3×3.3等緊湊設(shè)計,滿足服務(wù)器電源、通信設(shè)備、藍(lán)牙耳機音頻管理、快充模塊及工業(yè)電源的高功率密度與高可靠性需求
P MOS
P溝道MOSFET系列提供高性能功率管理解決方案,覆蓋-20V至-150V寬電壓范圍,滿足工業(yè)、汽車及消費電子嚴(yán)苛需求689。產(chǎn)品采用先進(jìn)溝槽技術(shù),實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻(最低1.8mΩ@VGS=-10V),顯著降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)能效46。支持-3A至-85A寬電流范圍及高脈沖電流能力(-240A),確保高負(fù)載場景下的穩(wěn)定性278。低柵極電荷(典型值7nC)與快速開關(guān)特性(td(on)≤15ns),優(yōu)化高頻PWM與電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用36。封裝兼容SOT-23、TO-252等緊湊設(shè)計,符合AEC-Q101認(rèn)證,適用于藍(lán)牙耳機音頻放大、電池保護(hù)、DC-DC轉(zhuǎn)換及空間級高可靠性系統(tǒng)7910。
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