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產(chǎn)品選型

產(chǎn)品篩選

EMS保護(hù)器件

TVS 瞬態(tài)抑制二極管 ESD 靜電保護(hù)元件 PPTC 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲 TSS 半導(dǎo)體放電管 GDT 氣體放電管 SBR 肖特基二極管 MOV 壓敏電阻 NTC 熱敏電阻 eFuse電子保險(xiǎn)絲 *New*

EMI抑制器件

信號(hào)共模濾波電感電源共模濾波電感功率電感磁珠電感定制

PowerDevices功率器件

MOSFET RD 整流二極管 ZD 齊納二極管

SPD防雷模組

電源防雷器 PSPD 信號(hào)防雷器 SSPD 監(jiān)控防雷器 PSSPD Signal 信號(hào)保護(hù)防雷模組

Cross Reference 競(jìng)品對(duì)照

ESD系列 TVS系列 ZNO 壓敏電阻 GDT 氣體放電管 PPTC 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲

首頁(yè) 產(chǎn)品選型 PowerDevices功率器件 MOSFET

N MOS

功能介紹

先進(jìn)的工藝制造技術(shù)、更優(yōu)的工藝條件、優(yōu)化設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)

低產(chǎn)品導(dǎo)通電阻、優(yōu)化開關(guān)特性

高可靠性、全方位評(píng)估體系保證產(chǎn)品質(zhì)量

電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)、通信等工業(yè)或超工業(yè)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景

多樣化的貼片封裝形式：DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-223、SOT-89、

多樣化的插件封裝形式：TO-247、TOLL、TO-263、TO-220、TO-252、TO-251、SOP-8、

專業(yè)、專注細(xì)分市場(chǎng)的產(chǎn)品特性研究、開發(fā)符合行業(yè)特色的產(chǎn)品

產(chǎn)品規(guī)格

相關(guān)產(chǎn)品

OLL MOSFET系列采用先進(jìn)的晶體管外形無引線封裝（TOLL），顯著提升功率密度與電氣性能。其緊湊設(shè)計(jì)（9.90×11.68 mm2，高度2.3 mm）較傳統(tǒng)TO-263減少30% PCB占板面積及60%體積，適配高密度電源設(shè)計(jì)36。全系列具備超低導(dǎo)通電阻（最低0.77 mΩ）與寄生電感（2 nH），支持300A以上持續(xù)電流，大幅降低開關(guān)損耗并優(yōu)化EMI表現(xiàn)46。鍍錫焊盤與開爾文源極結(jié)構(gòu)增強(qiáng)散熱能力（熱阻低至0.35 K/W），支持175°C高溫運(yùn)行及自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI），符合AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證1710。適用于電動(dòng)汽車DC-DC轉(zhuǎn)換、儲(chǔ)能系統(tǒng)、服務(wù)器電源及圖騰柱PFC等高可靠性場(chǎng)景，助力能效提升至97%以上

P溝道MOSFET系列提供高性能功率管理解決方案，覆蓋-20V至-150V寬電壓范圍，滿足工業(yè)、汽車及消費(fèi)電子嚴(yán)苛需求689。產(chǎn)品采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻（最低1.8mΩ@VGS=-10V），顯著降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)能效46。支持-3A至-85A寬電流范圍及高脈沖電流能力（-240A），確保高負(fù)載場(chǎng)景下的穩(wěn)定性278。低柵極電荷（典型值7nC）與快速開關(guān)特性（td(on)≤15ns），優(yōu)化高頻PWM與電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用36。封裝兼容SOT-23、TO-252等緊湊設(shè)計(jì)，符合AEC-Q101認(rèn)證，適用于藍(lán)牙耳機(jī)音頻放大、電池保護(hù)、DC-DC轉(zhuǎn)換及空間級(jí)高可靠性系統(tǒng)7910。

MOS 軍工級(jí)

軍工級(jí)MOSFET MOS系列產(chǎn)品，嚴(yán)格遵循MIL-PRF-19500及JAN認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，專為極端環(huán)境設(shè)計(jì)。全系列采用密封TO-205AD（TO-39）、陶瓷LCC等封裝，支持-55℃至+175℃寬溫工作范圍，耐受325℃峰值加工溫度，確保航空航天、衛(wèi)星電源及軍用裝備的高可靠性需求158。器件具備抗輻射性能（TID 100krad~300krad，LET 87 MeV·cm2/mg），有效抵御空間粒子干擾36。特性包括：1200V/60V高壓支持、40mΩ~5Ω超低導(dǎo)通電阻、8ns高速開關(guān)，適配DC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及固態(tài)繼電器應(yīng)用510。提供雙向瞬態(tài)電壓抑制，集成體二極管保護(hù)，顯著提升系統(tǒng)穩(wěn)定性與壽命

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